Zorientowany krystalograficzuie wzrost warstwy monokrystalicznej, zacho­dzący na powierzchni monokryształu o określonej orientacji przyjęto, zgodnie z pracami Royera [1,2], nazywać epitaksją. Wzrost warstwy jednego związku na rnoiiokrystalicznym podłożu drugiego materiału nazywamy heteroepitaksja, nato­miast wzrost warstwy na podłożu tego samego związku - hornoepitaksją [2,3].
Rozwój w ostatnich latach telekomunikacji optycznej, optoelektroniki oraz zintegrowanej mikroelektroniki postawił przed warstwami epitaksjalnymi szcze­gólne wymagania [2-7]. Nanoszone na podłoża warstwy muszą wykazywać dosko­nała strukturę krystalograficzną z możliwie małą ilością defektów i zanieczyszczeń, gdyż jak wiadomo, niedoskonałości struktury jak i zanieczyszczenia wpływają w znaczący sposób na zwiększenie absorpcji, rozpraszanie światła, zmianę przewod­nictwa, szybkość rekombinacji itp. [8,9]. W przypadku diod elektroluminescen­cyjnych i laserów, zauiczyszczenia jak i defekty struktury maja istotny wpływ na wydajność świecenia i zmniejszanie się emisji promieniowania w czasie (tzw. efekty starzenia).